Depuis le 1er octobre 2024, le groupe Vitesco Technologies fait partie du groupe Schaeffler, suite à la fusion de Vitesco Technologies Group AG et de Schaeffler AG.
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Sous le lien suivant, vous trouverez le site web actuel de Schaeffler :
Regensburg (Allemagne), Scottsdale (Arizona, États-Unis), 31 mai 2023. Vitesco Technologies et onsemi ont annoncé un accord d'approvisionnement à long terme d'une durée de 10 ans et d'une valeur de 1,9 milliard de dollars (1,75 milliard d'euros) pour des produits en carbure de silicium (SiC) afin de soutenir la montée en puissance des technologies d'électrification de Vitesco Technologies. Vitesco Technologies, l'un des principaux fabricants internationaux de technologies d'entraînement modernes et de solutions d'électrification, investit 250 millions de dollars (230 millions d'euros) dans onsemi pour l'acquisition de nouveaux équipements destinés à la croissance de billes de SiC, à la production de plaquettes et à l'épitaxie, afin de garantir l’accès à la capacité de production de carbure de silicium. L'équipement sera utilisé pour produire des plaquettes/tranches de SiC afin de répondre à la demande croissante de SiC de Vitesco Technologies. Parallèlement, onsemi, un leader dans le domaine des technologies intelligentes d’alimentation et de détection, continuera à investir de manière substantielle dans la chaîne d'approvisionnement complète en SiC.
De plus, Vitesco Technologies et onsemi collaboreront sur des solutions clients optimisées pour Vitesco Technologies. Les MOSFETs EliteSiC hautement efficaces d'onsemi seront utilisés par Vitesco Technologies pour exécuter les commandes récentes ainsi que les projets futurs concernant les onduleurs de traction et les entraînements de véhicules électriques.
Hassane El-Khoury, président et CEO de onsemi, commente :
Les semi-conducteurs SiC sont une technologie essentielle pour l'électrification, car ils permettent une électronique de puissance très efficace, ce qui réduit les temps de charge et augmente l'autonomie des voitures électriques. Les onduleurs SiC sont plus efficaces que les modèles en silicium, en particulier à des niveaux de tension élevés tels que 800 V. Étant donné que 800 V est la condition préalable à une recharge à haute tension rapide et donc pratique, les dispositifs SiC sont au début d'un essor mondial.
Vitesco Technologies and onsemi sign SiC long-term supply agreement and agree to invest in SiC technology capacity expansion
© onsemi
