こちらは現地時間2021年11月18日にドイツ・レーゲンスブルグおよび、カナダ・オタワで発行されたプレスリリースの抄訳です。英文の原文との間で解釈に相違が生じた際には原文が優先します。   

電動モビリティのための最新のパワートレイン技術とソリューションを提供する国際的なリーディングカンパニーであるヴィテスコ・テクノロジーズは、11月18日付でカナダのGaN Systems社と戦略的パートナーシップを締結しました。GaN Systems社は、窒化ガリウム系パワートランジスター の開発において高い評価を得ており、特に自動車業界に製品を提供しています。GaNトランジスターは、シリコントランジスターに比べて高効率、小型で、システム的にも経済的であるため、自動車用途に大きな可能性を秘めています。   

特に自動車への応用は、電動化された自動車の充電や電気エネルギーの変換に有益です。現在、GaNベースのトランジスターは、自動車用としてはまだ新しいものですが、GaN Systems社とヴィテスコ・テクノロジーズの共同開発により、非常に魅力的な自動車用アプリケーションが利用できるようになります。GaN技術をベースにしたパワーエレクトロニクスは、自動車の航続距離を伸ばし、電気自動車の総合的なエネルギー効率をさらに向上させるのに役立ちます。

GaN Systems社のCEOであるJim Witham氏は、今回のパートナーシップ締結について次のようにコメントしています。「GaNトランジスターは、未来のパワーシステム技術です。この材料は、より小さく、より効率的で、より低コストのパワーエレクトロニクスを可能にします。当社にとっては、ヴィテスコ・テクノロジーと提携することで、グローバルな自動車市場に対応する絶好の機会となります。」   

窒化ガリウム(GaN)の利点    

パワーエレクトロニクスと電力変換（ACからDC、DCからDC）は、電動化された自動車のエネルギー効率に大きな影響を与えます。電気エネルギーを変換するたびに、物理学の原理により、一定量の電気が熱として失われることは避けられません。これは、電動ドライブトレインの総合効率に影響を与えます。この問題を解決するのが、GaNやSiCなどの革新的なワイドバンドギャップ半導体材料です。GaNやSiCのような革新的な、いわゆるワイドバンドギャップ半導体材料は、より高いスイッチング周波数を可能にし、熱損失が少ないため、コンパクトな製品への統合が容易で、コスト効率も高くなります。そのため、ヴィテスコ・テクノロジーズは、高効率の新型トラクション・インバーター・プラットフォーム（EPF4）にSiCチップをすでに搭載しています。そして今回、GaNチップが技術ポートフォリオに加わりました。   

「GaNトランジスターは、熱損失を最小限に抑えることができ、特に我々が必要とする高いスイッチング周波数でのスイッチング損失を最小限に抑えることができます。GaNコンポーネントは、あらゆる面でシリコンチップよりも優れています。この極めて重要な技術にいち早くアクセスできたことは、非常に価値のあることです」と、ヴィテスコ・テクノロジーズのエレクトリフィケーションテクノロジー事業部のイノベーション部門責任者であるゲルド・ロゼル(Gerd Rösel)博士は説明します。   

GaN技術を自動車に使用できるようにするには、専門知識を有し、特別な共同開発作業が必要です。しかし、この開発作業から得られる見返りは非常に大きいものです。GaNトランジスターの効率の良さに加えて、冷却の必要性が低く、コンパクトなサイズであることから、将来のパワーエレクトロニクスは、電気自動車の効率と航続距離を向上させることができるでしょう。GaN Systems社と協力して、400V～800VのDC/DC変換、車載充電器、そして将来的にはインバーターなど、より効率的な自動車用ソリューションのためのプラットフォームを開発することができるでしょう。」とロゼルは語っています。