Regensburg, Willich, 19. Juni 2023. Vitesco Technologies, ein führender internationaler Hersteller moderner Antriebstechnologien und Elektrifizierungslösungen, hat sich durch eine langfristige Partnerschaft mit ROHM strategisch bedeutsame Kapazitäten bei energieeffizienten Leistungshalbleitern aus Siliziumkarbid gesichert – im Wert von über einer Milliarde US-Dollar bis zum Jahr 2030. Die 2020 begonnene Entwicklungs­partnerschaft mit dem Hersteller ROHM schuf die Grundlage für die jetzt in Regensburg unterzeichnete Partnerschaft. Die fortschrittlichen Wechselrichter von Vitesco Technologies mit integrierten ROHM-SiC-Chips werden von zwei Automobilherstellern für den Einsatz in Antriebssträngen von Elektrofahrzeugen übernommen. Bereits 2024 wird die Zulieferung für ein erstes Serienprojekt bei Vitesco Technologies anlaufen. Damit liegt das Unternehmen sogar vor der ursprünglich angepeilten Zeitschiene. 

SiC ist die Schlüsselkomponente für besonders effiziente Leistungselektronik, wie sie beispielsweise für die Inverter von Elektroautos benötigt werden. Insbesondere bei hohen Spannungen sowie für Fahrzeuge mit anspruchsvollen Reichweitenzielen und optimaler Gesamteffizienz sind SiC-Chips eine Schlüsseltechnologie. Im Verlauf der bestehenden Entwicklungspartner­schaft mit ROHM wurden die relevanten SiC-Chips für den 2024 anlaufenden Einsatz in Automobilinvertern weiter optimiert.

„Im wachstumsträchtigen Automobilmarkt ist SiC ein Wegbereiter für höhere Effizienz. Mit einem erwarteten höheren Marktanteil von über 30 Prozent sind wir hier stark aufgestellt und haben in Vitesco Technologies einen strategischen Partner für die weitere Marktdurchdringung gewonnen“, sagte Dr. Kazuhide Ino, Member of the Board, Managing Executive Officer und CFO von ROHM Co. Ltd. bei der Unterzeichnung. 

Kleine Ursache – große Wirkung
 
Siliziumkarbid gehört zu den sogenannten Wide-Bandgap-Halbleitern, deren breite Bandlücke (vereinfacht: die Energiespannungslücke zwischen dem nichtleitenden Zustand und dem leitfähigen Zustand der Elektronen im Werkstoff) einen geringeren elektrischen Widerstand sowie schnell und verlustarm schaltende Chips für die Leistungselektronik ermöglichen. Gleichzeitig sind SiC-Chips thermisch widerstandsfähiger, so dass sich die Leistungsdichte einer Elektronik steigern lässt. 

Dank dieser Merkmale weisen SiC-Elektroniken gegenüber konventionellem Silizium (Si) verringerte Wandlungsverluste auf. Vor allem bei hohen Spannungslagen wie 800 V sind SiC-Inverter effizienter als Si-Modelle. Da 800 V die Voraussetzung für ein schnelles und damit komfortables Hochvoltladen ist, steht der Rohstoff SiC am Anfang eines weltweiten Booms. Reduzierte Wandlungsverluste im Inverter sind außerdem für die Gesamteffizienz des elektrischen Fahrens und damit für die Reichweite bedeutend. Entsprechend groß ist der Wettbewerb um ausreichende Kapazitäten bei Komponenten aus diesem High-Tech-Material.