Regensburg, Willich, 19 juin 2023. Vitesco Technologies, un leader international dans le développement et la fabrication de technologies de pointe pour la mobilité durable, a protégé des capacités tactiquement essentielles dans les semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium écoénergétiques grâce à une collaboration d’approvisionnement de longue durée avec ROHM, d’une valeur de plus d’un milliard de dollars américains jusqu’en 2030. Le partenariat de développement avec le fabricant ROHM, qui a débuté en 2020, a jeté les bases de la collaboration d’approvisionnement désormais signée à Regensburg. Les onduleurs innovants de Vitesco Technologies avec des puces ROHM SiC incorporées seront adoptés par deux clients, pour être appliqués à l’intérieur des groupes motopropulseurs des véhicules électriques. Vitesco Technologies commencera à fournir un premier travail de série dès 2024. La société est donc en avance sur le calendrier initialement prévu.

Les dispositifs SiC permettent de concevoir une électronique de puissance particulièrement performante, comme celles nécessaires aux onduleurs des voitures électriques. Les puces SiC sont une innovation cruciale, en particulier pour les hautes tensions et pour les véhicules dont les objectifs d’autonomie sont exigeants et dont l’efficacité globale est optimale. Dans le cadre du partenariat de développement existant avec ROHM, les puces SiC concernées ont été optimisées pour être utilisées dans les onduleurs automobiles à partir de 2024.

"Sur le marché de l’automobile en forte croissance, le SiC est un précurseur pour des performances supérieures. Avec une part de marché attendue supérieure à 30 %, nous sommes bien positionnés et avons trouvé en Vitesco Technologies un partenaire stratégique pour poursuivre notre pénétration du marché", a déclaré M. Kazuhide Ino, membre du conseil d'administration, directeur général et directeur financier de ROHM Co. Ltd. lors de la cérémonie de signature.

Petite cause – grand effet

Le carbure de silicium appartient aux semi-conducteurs dits à large bande interdite, dont la large bande interdite (simplifiée : l'écart d'énergie entre l'état non conducteur et l'état conducteur des électrons dans le produit) permet une résistance électrique plus faible, des puces de commutation rapides et à faible perte pour l'électronique de puissance. Parallèlement, les puces SiC sont plus résistantes thermiquement, ce qui permet d'augmenter la densité de puissance de l'électronique.

Grâce à ces caractéristiques, les composants électroniques SiC ont réduit les pertes de conversion par rapport au silicium traditionnel (Si). En particulier à des niveaux de tension élevés tels que 800 V, les onduleurs SiC sont plus efficaces que les modèles Si. Étant donné que 800 V est la condition préalable à une charge à haute tension rapide et donc confortable, les dispositifs SiC sont au début d'un essor mondial. Les pertes de conversion minimisées dans l’onduleur sont également considérables pour les performances générales de la conduite électrique et donc pour l’autonomie. La concurrence pour des capacités suffisantes dans les composants fabriqués à partir de ce matériau de haute technologie est donc féroce.