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    Vitesco Technologies
    • 合作协议确保高效率碳化硅功率半导体的产能
    • 预计该协议总价值将超过10亿美元(2024年-2030年)
    • 本次合作基于双方2020年签署的碳化硅芯片合作开发协议
    • 最早于2024年为两家主要客户批量生产碳化硅功率电子器件
    • 此类芯片同时支持高效电驱动及快速充电

           德国雷根斯堡/威利希/中国上海,2023年6月19日。全球领先的驱动技术及电气化解决方案制造商纬湃科技宣布与罗姆达成价值超10亿美元(到2030年)的长期碳化硅供应合作伙伴关系,从而获得了对高效率碳化硅功率半导体具有战略意义的重要产能。此次在雷根斯堡签署的长期供应协议是基于2020年双方签署的合作开发协议。两家客户将在其电动汽车动力总成中采用纬湃科技集成了罗姆碳化硅芯片的先进逆变器。纬湃科技最早将于2024年投入首批量产,时间上早于最初设定的目标。 

           功率电子高效率表现的核心来自碳化硅器件,例如应用于电动汽车逆变器所需的功率电子。碳化硅芯片是一项关键技术,特别是对于高压场景,以及对续航里程和整体效率要求很高的车辆。在与罗姆已有的开发合作进程中,相关的碳化硅芯片已得到进一步优化,并将从2024年开始用于汽车逆变器。

           罗姆董事会成员、执行总裁兼首席财务官Kazuhide Ino博士在签约仪式上表示:“在高增长的汽车市场,碳化硅是提升效率的掘金石。罗姆目前预计的市场份额已超30%,我们拥有十分稳固的市场地位。随着与纬湃科技的战略合作伙伴关系进一步加深,这也将再度提升我们的市场渗透率。”

    “小材大用”

           碳化硅属于宽禁带半导体,其宽禁带(即材料中电子的非导电状态和导电状态之间的能隙)使功率电子器件的导通电阻更低、速度更快、开关损耗更低。同时,碳化硅芯片的耐热性更强,从而可以提高电子器件的功率密度。 

           由于这些特性,碳化硅电子器件与传统硅基相比降低了转换损耗。特别是在800伏等高压水平下,碳化硅逆变器比传统硅基逆变器的效率更高。由于800 伏是实现快速且方便的高压充电的前提,碳化硅器件正在全球范围内日益兴起。

    Vitesco Technologies and ROHM have signed a long-term SiC supply partnership

    纬湃科技首席执行官安朗Andreas Wolf(右边)和罗姆董事会成员、执行总裁兼首席财务官Kazuhide Ino博士
    © Vitesco Technologies GmbH (exclusive rights)

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